IXFH74N20P IXFV74N20P
IXFV74N20PS
80
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
200
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
70
60
50
V GS = 10V
9V
8V
7V
180
160
140
120
V GS = 10V
9V
8V
40
100
7V
30
6V
80
20
60
6V
10
0
5V
40
20
0
5V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
80
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
3.0
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Normalized to 0.5 I D25 Value
vs. Junction Temperature
70
60
50
V GS = 10V
9V
8V
7V
2.6
2.2
V GS = 10V
I D = 74A
40
30
6V
1.8
1.4
I D = 37A
20
10
0
5V
1.0
0.6
0
1
2
3
4
5
6
7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
5.0
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to 0.5 I D25 Value
vs. I D
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
4.5
V GS = 10V
70
4.0
3.5
15V -
---
T J = 175oC
60
50
3.0
40
2.5
2.0
1.5
30
20
1.0
0.5
T J = 25oC
10
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- Amperes
T C - Degrees Centigrade
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
相关PDF资料
IXFV96N15PS MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S
IXFX120N25P MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
IXFX120N30T MOSFET N-CH 120A 300V PLUS247
IXFX140N25T MOSFET N-CH 140A 250V PLUS247
IXFX170N20T MOSFET N-CH 170A 200V PLUS247
IXFX200N10P MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
IXFX210N17T MOSFET N-CH 210A 170V PLUS247
IXFX24N100 MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
相关代理商/技术参数
IXFV96N15P 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV96N15PS 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV96N20P 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX100N25 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX120N20 功能描述:MOSFET 200V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX120N25 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX120N25P 功能描述:MOSFET 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFX120N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube